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InGaAs點元探測器LD-GAP500 三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范圍。通過改變InGaAs 吸收層的合成成分,可以使光電探測器的響應(yīng)度在終用戶所要求的波長條件下達(dá)到大值,從而提高信噪比。
InGaAs點元探測器三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV (3.5μm) 到GaAs 的l. 43eV(0.87μm) 的范圍。通過改變InGaAs 吸收層的合成成分,可以使光電探測器的響應(yīng)度在終用戶所要求的波長條件下達(dá)到大值,從而提高信噪比。
劉丹
86-029-81778987-205