短波焦平面探測器是用來對9-14μm的電磁波進(jìn)行成像探測的探測器。根據(jù)黑體輻射理論，任何物體都會向外輻射電磁波，電磁波頻譜分布與溫度有關(guān)，溫度越高，輻射峰值波長越短。由于常溫(30℃)的物體黑體輻射電磁波的峰值波長約為10μm左右，所以對9-14μm的電磁波進(jìn)行探測能夠?qū)Ρ容^適合用于常溫環(huán)境。
 

　　短波焦平面探測器按探測機(jī)理可分為熱探測器和光子探測器，按其工作中載流子類型可以分為多數(shù)載流子器件和少數(shù)載流子器件兩大類，按照探測器是否需要致冷，分為致冷型探測器和非致冷型探測器。非致冷探測器目前主要是非晶硅和氧化釩探測器，致冷型探測器主要包括碲鎘汞三元化合物、量子阱紅外光探測器Ⅱ類超晶格等。
 

　　隨著短波焦平面探測器材料研究的進(jìn)展和短波紅外焦平面探測器制備工藝的不斷改進(jìn)和創(chuàng)新，短波紅外焦平面探測器將向更大面陣規(guī)模、更寬的光譜響應(yīng)范圍發(fā)展，將會在更多的領(lǐng)域得到重視和應(yīng)用。
 

　　短波焦平面探測器由探測器陣列與讀出電路倒裝互連而成。焦平面器件技術(shù)涵蓋光電子與微電子技術(shù)范疇，器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，技術(shù)難度大，對設(shè)計(jì)、工藝、產(chǎn)品化等技術(shù)均有較高要求。紅外成像技術(shù)的核心部分當(dāng)屬紅外探測器技術(shù)，包括紅外材料、器件等重大制造工藝技術(shù)，涉及紅外探測器基礎(chǔ)理論、總體設(shè)計(jì)、薄膜材料生長技術(shù)、材料性能表征與評價(jià)技術(shù)。