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更新時(shí)間：2023-08-18
光平直入浸式光電磁特點(diǎn)：室溫下工作；無(wú)需偏置；光譜范圍大（2-12µm）；D*（10.6 µm）達(dá)到2*107cmHz1/2/W；響應(yīng)時(shí)間≤1ns；無(wú)閃動(dòng)噪聲；從直流到高頻工作；重量輕，耐用可靠；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
光平直入浸式光電磁
PEM系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化使得在波長(zhǎng)為10.6微米可以達(dá)到佳的使用狀態(tài)。PEM1使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過(guò)半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。探測(cè)器由(Hg-Cd-Zn-Te)半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)成分選擇和摻雜面處理而獲得，微型永磁鐵提供非常強(qiáng)的磁場(chǎng)。PEM系列的探測(cè)器非常適合10.6微米輻射的外差探測(cè)。無(wú)閃動(dòng)噪音，在整個(gè)2-12 µm光譜范圍內(nèi)可以同時(shí)用于CW和低頻調(diào)制輻射?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁﹩蝹€(gè)各種規(guī)格的元件、四象限單元、多元件陣列、特定封裝和連接器。
光平直入浸式光電磁參數(shù)
特性（@ 20ºC） | 單位 | LD-PEM－10.6 | LD-PEMI－10.6 |
特性波長(zhǎng)λop | μm | 10.6 | 10.6 |
探測(cè)率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥3E7 ≥1E7 | ≥1E8 ≥5E7 |
電阻率 | V/W | ≥0.04 | ≥0.2 |
響應(yīng)時(shí)間τ | ns | ≤1 | ≤1 |
電阻 | Ω | 40－100 | 40－100 |
光學(xué)面積（長(zhǎng)×寬） 或直徑(圓形) | mm x mm mm | 0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2 | |
工作溫度 | K | 300 | |
視場(chǎng), F/# | deg | 51,1.1638,1.62 | |
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